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          AI芯片獨(dú)角獸最新產(chǎn)品 比英偉達(dá)GPU快20倍

          • 綜合外媒報(bào)導(dǎo),人工智能(AI)芯片巨頭英偉達(dá)(Nvidia)的競爭對手、全球最大AI芯片獨(dú)角獸 Cerebras Systems宣布,推出Cerebras Inference,據(jù)稱是全世界最快AI解決方案,較英偉達(dá)目前這一代GPU快20倍,價(jià)格更便宜只有GPU的五分之一。Cerebras的AI推論工具可為大語言模型Llama 3.1 8B,每秒生成1,800個(gè) tokens,比超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心的英偉達(dá)GPU解決方案快20倍。而且Cerebras價(jià)格以每百萬tokens收10美分起跳,與英偉達(dá)GPU解決方案
          • 關(guān)鍵字: AI芯片    英偉達(dá)  GPU   Cerebras Systems  

          新潔能SiC/GaN功率器件及封測研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目延期

          • 8月13日,新潔能發(fā)布公告稱,擬將此前募投項(xiàng)目中的“第三代半導(dǎo)體 SiC/GaN 功率器件及封測的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”項(xiàng)目達(dá)到預(yù)定可使用狀態(tài)日期延期至2025年8月。此次延期是受宏觀環(huán)境等不可控因素的影響,項(xiàng)目的工程建設(shè)、設(shè)備采購及人員安排等相關(guān)工作進(jìn)度均受到一定程度的影響,無法在計(jì)劃時(shí)間內(nèi)完成。據(jù)悉,此次延期項(xiàng)目屬新潔能二廠區(qū)擴(kuò)建項(xiàng)目,項(xiàng)目總投資約2.23億元,2022年開建,原計(jì)劃2024年建設(shè)完成。項(xiàng)目建成后,將實(shí)現(xiàn)年產(chǎn) SiC/GaN 功率器件2640萬只。新潔能稱,本次募投項(xiàng)目延期僅涉及項(xiàng)目進(jìn)度的
          • 關(guān)鍵字: 新潔能  SiC  GaN  功率器件  封測  

          CAGR達(dá)49%,2030全球GaN功率元件市場規(guī)?;蛏?3.76億美元

          • 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新報(bào)告《2024全球GaN Power Device市場分析》顯示,隨著英飛凌、德州儀器對GaN技術(shù)傾注更多資源,功率GaN產(chǎn)業(yè)的發(fā)展將再次提速。2023年全球GaN功率元件市場規(guī)模約2.71億美元,至2030年有望上升至43.76億美元,CAGR(復(fù)合年增長率)高達(dá)49%。其中非消費(fèi)類應(yīng)用比例預(yù)計(jì)會(huì)從2023年的23%上升至2030年的48%,汽車、數(shù)據(jù)中心和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場景為核心。AI應(yīng)用普及,GaN有望成為減熱增效的幕后英雄AI技術(shù)的演進(jìn),帶動(dòng)算力需求持續(xù)攀升,C
          • 關(guān)鍵字: CAGR  GaN  功率元件  

          TrendForce:預(yù)計(jì)2030年全球GaN功率元件市場規(guī)模上升至43.76億美元

          • 8月15日消息,根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新報(bào)告顯示,隨著英飛凌、德州儀器對GaN技術(shù)傾注更多資源,功率GaN產(chǎn)業(yè)的發(fā)展將再次提速。2023年全球GaN功率元件市場規(guī)模約2.71億美元,至2030年有望上升至43.76億美元,CAGR(復(fù)合年增長率)高達(dá)49%。報(bào)告顯示,非消費(fèi)類應(yīng)用比例預(yù)計(jì)會(huì)從2023年的23%上升至2030年的48%,汽車、數(shù)據(jù)中心和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場景為核心。
          • 關(guān)鍵字: 英飛凌  德州儀器  GaN  功率元件  

          TrendForce:預(yù)計(jì) 2030 年全球 GaN 功率元件市場規(guī)模 43.76 億美元,復(fù)合年均增長率達(dá) 49%

          • IT之家 8 月 14 日消息,TrendForce 最新報(bào)告顯示,隨著英飛凌、德州儀器等對 GaN(氮化鎵)技術(shù)傾注更多資源,功率 GaN 產(chǎn)業(yè)的發(fā)展將再次提速。2023 年全球 GaN 功率元件市場規(guī)模約 2.71 億美元(IT之家備注:當(dāng)前約 19.39 億元人民幣),到 2030 年有望上升至 43.76 億美元(當(dāng)前約 313.14 億元人民幣),CAGR(復(fù)合年均增長率)達(dá) 49%。據(jù)介紹,消費(fèi)電子是功率 GaN 產(chǎn)業(yè)的主戰(zhàn)場,并由快速充電器迅速延伸至家電、智能手
          • 關(guān)鍵字: 功率器件  GaN  

          羅姆將亮相2024深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)

          • 全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆(總部位于日本京都市)將于8月28日~30日參加在深圳國際會(huì)展中心(寶安新館)舉辦的2024深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)(以下簡稱PCIM Asia)(展位號:11號館D14)。屆時(shí),將聚焦碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬禁帶半導(dǎo)體,展示其面向工業(yè)設(shè)備和汽車領(lǐng)域的豐富產(chǎn)品陣容及解決方案。同時(shí),羅姆工程師還將在現(xiàn)場舉辦的“寬禁帶半導(dǎo)體器件— 氮化鎵及碳化硅論壇”以及“電動(dòng)汽車論壇”等同期論壇上發(fā)表演講,分享羅姆最新的功率電子技術(shù)成果。展位效果圖羅姆擁有世界先進(jìn)的碳化硅
          • 關(guān)鍵字: 羅姆  SiC  氮化鎵  GaN  

          第三代半導(dǎo)體,距離頂流差了什么

          • 潮流就是即便你放棄了我,也不妨礙我越來越火。距離特斯拉宣布放棄碳化硅已經(jīng)過去了一年,這個(gè)市場非但沒有被拋棄,反而以 GaN、SiC 為代表的第三代半導(dǎo)體發(fā)展備受關(guān)注:Yole 數(shù)據(jù)顯示,2026 年 GaN 市場規(guī)模預(yù)計(jì)可達(dá) 6.72 億美元。SiC 碳化硅 2027 年全球 SiC 功率半導(dǎo)體市場規(guī)模有望突破 60 億美元。預(yù)測是人算不如天算,第三代半導(dǎo)體優(yōu)勢已經(jīng)被講的翻來覆去了,市場的反饋是最真實(shí)和殘酷的—很火但不是主流。碳化硅與新能源車能不能齊飛?新能源是第三代半導(dǎo)體應(yīng)用的重要驅(qū)動(dòng)力。新能源車的最大
          • 關(guān)鍵字: GaN  SiC  

          英飛凌加速氮化鎵布局,引領(lǐng)低碳高效新紀(jì)元

          • 近年來,隨著科技的不斷進(jìn)步和全球?qū)G色低碳發(fā)展的需求日益增長,半導(dǎo)體行業(yè)迎來了前所未有的發(fā)展機(jī)遇。氮化鎵(GaN)作為一種新型半導(dǎo)體材料,以其高功率、高效率、耐高溫等特性,在消費(fèi)電子、電動(dòng)汽車、可再生能源等多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。作為全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者,英飛凌在氮化鎵領(lǐng)域持續(xù)深耕,通過戰(zhàn)略布局、技術(shù)創(chuàng)新、市場應(yīng)用拓展等不斷鞏固其市場地位。近日,英飛凌在上海慕尼黑展會(huì)期間舉辦了一場專門的氮化鎵新品媒體溝通會(huì),會(huì)上英飛凌科技大中華區(qū)消費(fèi)、計(jì)算與通訊業(yè)務(wù)市場總監(jiān)程文濤先生以及英飛凌科技
          • 關(guān)鍵字: 氮化鎵  英飛凌  GaN Systems  

          氮化鎵為何被如此看好,能否替代硅基材料大放異彩?

          • 氮化鎵材料相較于硅基材料,顯著優(yōu)勢體現(xiàn)在節(jié)能、成本節(jié)約及材料省用上。其核心亮點(diǎn)在于其超快的開關(guān)速度,在硅、碳化硅與氮化鎵三者中獨(dú)占鰲頭。這一特性直接促進(jìn)了開關(guān)頻率的大幅提升,進(jìn)而允許大幅縮減被動(dòng)元器件及散熱器的尺寸與數(shù)量,有效降低了物料消耗,彰顯了氮化鎵在物料節(jié)省方面的卓越能力。此外,在效率層面,氮化鎵與碳化硅并駕齊驅(qū),通過實(shí)現(xiàn)極低的導(dǎo)通阻抗(即單位面積上可達(dá)到的最小電阻),相較于硅材料實(shí)現(xiàn)了數(shù)量級的優(yōu)化。這種高效的導(dǎo)電性能,是氮化鎵提升系統(tǒng)效率的關(guān)鍵所在。綜合上述兩方面優(yōu)勢,氮化鎵的應(yīng)用不僅促進(jìn)了系統(tǒng)性
          • 關(guān)鍵字: 氮化鎵  GaN    

          氮化鎵(GaN)的最新技術(shù)進(jìn)展

          • 本文要點(diǎn)? 氮化鎵是一種晶體半導(dǎo)體,能夠承受更高的電壓。? 氮化鎵器件的開關(guān)速度更快、熱導(dǎo)率更高、導(dǎo)通電阻更低且擊穿強(qiáng)度更高。? 氮化鎵技術(shù)可實(shí)現(xiàn)高功率密度和更小的磁性。氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 是兩種寬禁帶半導(dǎo)體,徹底改變了傳統(tǒng)電力電子技術(shù)。氮化鎵技術(shù)使移動(dòng)設(shè)備的快速充電成為可能。氮化鎵器件經(jīng)常用于一些轉(zhuǎn)換器和驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用氮化鎵是一種晶體半導(dǎo)體,能夠承受更高的電壓。通過氮化鎵材料的電流比通過硅半導(dǎo)體的電流速度更快,因此處理速度也更快。本文將探討氮化鎵材料以及氮化鎵技術(shù)如何顛覆整個(gè)行業(yè)。氮化
          • 關(guān)鍵字: GaN  

          安森美宣布收購CQD傳感器技術(shù)公司SWIR Vision Systems

          • 據(jù)安森美官微消息,近日,安森美(onsemi)宣布已完成對SWIR Vision Systems?的收購,后者已成為安森美的全資子公司,其技術(shù)精湛的團(tuán)隊(duì)將并入安森美智能感知事業(yè)群,并繼續(xù)在北卡羅來納州運(yùn)營。據(jù)了解,SWIR Vision Systems是膠體量子點(diǎn)(CQD?)短波紅外(SWIR)技術(shù)的領(lǐng)先供應(yīng)商,這項(xiàng)技術(shù)將系統(tǒng)的可視性和檢測范圍從標(biāo)準(zhǔn) CMOS 傳感器波長擴(kuò)展到了 SWIR 波長。通過此次收購,安森美將把硅基 CMOS 傳感器和制造專長與 CQD 技術(shù)相結(jié)合,以更低的成本和更高的產(chǎn)量提供高
          • 關(guān)鍵字: 安森美  收購  SWIR Vision Systems  

          安森美完成收購SWIR Vision Systems,增強(qiáng)智能感知產(chǎn)品組合

          • 作為持續(xù)致力于提供強(qiáng)大、前沿的智能圖像感知技術(shù)的一部分,安森美(onsemi)宣布已完成對SWIR Vision Systems?的收購。SWIR Vision Systems是膠體量子點(diǎn)(CQD?)短波紅外(SWIR)技術(shù)的領(lǐng)先供應(yīng)商,該技術(shù)擴(kuò)展了可檢測光的光譜范圍,可以透視物體并捕捉以前無法捕捉到的圖像。安森美將這一專利技術(shù)整合到其業(yè)界領(lǐng)先的CMOS傳感器中,將顯著增強(qiáng)公司的智能感知產(chǎn)品組合,并為工業(yè)、汽車等關(guān)鍵市場的進(jìn)一步發(fā)展鋪平道路。CQD使用具有獨(dú)特光學(xué)和電子特性的納米顆?;蚓w,可以精確調(diào)節(jié)以
          • 關(guān)鍵字: 安森美  SWIR Vision Systems  智能感知  

          Guerrilla RF宣布收購Gallium GaN技術(shù)

          • 近期,Guerrilla RF宣布收購了Gallium Semiconductor的GaN功率放大器和前端模塊產(chǎn)品組合。Guerrilla RF表示,通過此次收購,公司獲得了Gallium Semiconductor 所有現(xiàn)有的元件、正在開發(fā)的新內(nèi)核以及相關(guān)知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)。公司將為無線基礎(chǔ)設(shè)施、軍事和衛(wèi)星通信應(yīng)用開發(fā)新的GaN器件產(chǎn)品線并實(shí)現(xiàn)商業(yè)化。Guerrilla RF官方經(jīng)銷商Telcom International的一位員工表示,公司計(jì)劃向韓國市場供應(yīng)Guerrilla RF的射頻晶體管,并將其
          • 關(guān)鍵字: Guerrilla RF  Gallium GaN  

          純晶圓代工廠格芯收獲一家GaN研發(fā)商

          • 7月1日,純晶圓代工廠格芯(GlobalFoundries)宣布已收購Tagore專有且經(jīng)過生產(chǎn)驗(yàn)證的功率氮化鎵(GaN)技術(shù)及IP產(chǎn)品組合,以突破汽車、物聯(lián)網(wǎng)和人工智能(AI)數(shù)據(jù)中心等廣泛電源應(yīng)用的效率和性能界限。資料顯示,無晶圓廠公司Tagore成立于2011年1月,旨在開拓用于射頻和電源管理應(yīng)用的GaN-on-Si半導(dǎo)體技術(shù),在美國伊利諾伊州阿靈頓高地和印度加爾各答設(shè)有設(shè)計(jì)中心。格芯表示,此次收購進(jìn)一步鞏固公司對大規(guī)模生產(chǎn)GaN技術(shù)的決心,該技術(shù)提供多種優(yōu)勢,可幫助數(shù)據(jù)中心滿足不斷增長的電力需求,
          • 關(guān)鍵字: 晶圓代工  格芯  GaN  

          臺(tái)達(dá)電子與TI成立創(chuàng)新聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室,瞄準(zhǔn)GaN

          • 6月21日,臺(tái)達(dá)電子宣布與全球半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)廠商德州儀器(TI)成立創(chuàng)新聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室。臺(tái)達(dá)表示,此舉不僅深化雙方長期合作關(guān)系,亦可憑借TI在數(shù)字控制及氮化鎵(GaN)等半導(dǎo)體相關(guān)領(lǐng)域多年的豐富經(jīng)驗(yàn)及創(chuàng)新技術(shù),強(qiáng)化新一代電動(dòng)車電源系統(tǒng)的功率密度和效能等優(yōu)勢,增強(qiáng)臺(tái)達(dá)在電動(dòng)車領(lǐng)域的核心競爭力。臺(tái)達(dá)交通事業(yè)范疇執(zhí)行副總裁及電動(dòng)車方案事業(yè)群總經(jīng)理唐修平表示:“透過與TI成立創(chuàng)新聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室,運(yùn)用TI在數(shù)位控制及GaN領(lǐng)域豐富經(jīng)驗(yàn)與技術(shù)優(yōu)勢,提升電動(dòng)車電源系統(tǒng)的功率密度和效能,期盼雙方達(dá)到更緊密的技術(shù)交流及合作,以更具前瞻
          • 關(guān)鍵字: 臺(tái)達(dá)電子  TI  GaN  
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